Wissenschaftler - GaN-Bauelemente, Schaltungen & Module (all genders)

INNOVATIONEN AUS EINER HAND

VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Sie bald auch?

Was Sie bei uns tun

Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Bauelemente und Schaltungen für Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Auf Basis der Hochfrequenzmodule werden Systeme für Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik entwickelt. Darüber hinaus sind wir mit modernster Messtechnik bestens ausgestattet.

Zu Ihren Aufgaben gehören:

• Bei uns entwickeln, entwerfen und realisieren Sie leistungsfähige GaN-Bauelemente, Schaltungen und Module für Hochfrequenzanwendungen bis 10 GHz.
• Ihre Expertise trägt dazu bei, wegweisende Hochfrequenzsysteme, Kommunikationslösungen und Radartechnologien zu realisieren.
• Sie sind von der Konzeptphase bis zur Charakterisierung aktiv beteiligt und bringen Ihre Ideen in spannende Projekte ein.

Was Sie mitbringen

• Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in der Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik oder Physik; idealerweise mit Promotion
• Umfassende Kenntnisse in der Systemauslegung von HF-Hochleistungsbauelementen, beispielsweise mit Signalflussdiagrammen, Berechnung benötigter Leistungen, Gain und Wirkungsgrad
• Erfahrung im Entwurf von hybriden Hochfrequenzmodulen bis 10 GHz
• Sicherer Umgang mit Schaltungssimulationsprogrammen und EM-Simulationstools (ADS, CST, HFSS)
• Fachwissen in der messtechnischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, zum Beispiel durch S-Parameter und Load-Pull
• Erfahrung in Forschungs- und Industrieprojekten, idealerweise in der Rolle einer verantwortlichen Person
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse sowie Teamgeist, Kommunikationsstärke und eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise

Was Sie erwarten können

• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette sowie neuester Technologie in der Hochfrequenzelektronik
• Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten
• Engagierte Zusammenarbeit mit innovativen Teams und der Industrie an spannenden Projekten
• Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld
• Freiraum für Kreativität und die Möglichkeit, eigene Forschung zu gestalten sowie aktiv am wissenschaftlichen Austausch teilzunehmen
• Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen
• Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates)
• Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, die Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.)
• Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern.

Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF - Fraunhofer IAF

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklung und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung (Anschreiben, Lebenslauf, relevante Zeugnisse) erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht.

Sie haben Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsablauf oder zur Barrierefreiheit? Sie brauchen Unterstützung?

Unsere Recruiterin Kathrin Escher ist für Sie da:

+49 761 5159-374

[email protected]

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

www.iaf.fraunhofer.de

Kennziffer: 82585 Bewerbungsfrist: