パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発

パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハやトランジスプロセスの開発と量産化に向けた

結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等

[具体的な仕事内容]

（１）パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発

・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発

・安定生産を実現する量産化技術の開発

（２）パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発

・化合物半導体（GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など）

・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など）

・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価

【必須要件】

［経験］

半導体のデバイス・プロセス開発業務経験 （3年目安）

［知識］

材料物性、半導体プロセス技術の知識

［語学］

TOEIC400点以上

［その他］

・GaNトランジスタに興味がある

・Si基板上のGaNエピタキシャル結晶成長、GaNトランジスタのプロセス開発に興味がある

※電気、電子、物理、化学、材料など、さまざまな技術や経験が活かせる職場です。

【歓迎要件】

［経験］

半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験

［知識］

・化合物半導体材料、物性の知識

・化合物半導体の経験はないが、半導体プロセス開発、インテグレーション開発の経験がある

・プロセスエンジニアとしての経験がある

・トランジスタの物性の知識、評価の経験がある

・電源系の回路、製品の構成や使用されるトランジスタについての知識がある

勤務形態

正社員

勤務時間

【勤務時間】

8時30分～17時

※神奈川のみ9時～17時30分

※フレックスタイム制度有り（標準労働時間／1日7時間45分）

※在宅勤務制度あり

休日・休暇

【休日】

完全週休2日制（土曜日・日曜日）、祝日、年末年始、夏季、年次有給

［年間休日127日（2025年度）］

【特別休暇】

年次有給休暇（入社後10日～、翌年度以降最高25日、※翌年度まで繰越可、時間単位取得可）

ファミリーサポート休暇、慶弔休暇、長期節目休暇 など

給与・昇給

【給与・昇給】

想定年収：550万円〜1150万円

※試用期間：3ヶ月（同額支給）

※昇給：年1回

※上記はあくまでも目安であり、正式には社内規定やご経験、前職給与額などに沿って決定いたします。